수직형 발광 다이오드의 제조 방법
대한민국
발광 다이오드의 제조 방법이 제공된다. 기판 상에 나노 로드 희생층을 형성하고, 상기 나노 로드 희생층 상에 투명 전극층을 형성하고, 상기 투명 전극층 상에 발광 구조체를 형성한다. 상기 발광 구조체 상에 제 2 전극을 형성하고, 상기 제 2 전극 상에 구조 지지층을 형성하고, 상기 기판 및 상기 나노 로드 희생층의 적어도 일부를 선택적으로 제거한다.
H01L
1020110039504
2011-04-27
1020120121607
2012-11-06
1012027310000
2012-11-13
영남대학교 산학협력단
10.8080/1020110039504
https://doi.or.kr/10.8080/1020110039504
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특허; 2023-12-11