초록
본 발명은, 충분한 휘도를 얻을 수 있는 발광 다이오드 칩의 제조 방법 및 발광 다이오드 칩을 제공하는 것을 목적으로 한다. 발광 다이오드 칩의 제조 방법으로서, 결정 성장용의 투명 기판 상에 발광층을 포함하는 복수의 반도체층이 형성된 적층체층을 가지며, 상기 적층체층의 표면에 서로 교차하는 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획된 각 영역에 각각 LED 회로가 형성된 웨이퍼를 준비하는 웨이퍼 준비 공정과, 웨이퍼의 이면에 제1 투명 기판의 표면을 첩착시켜 제1 일체화 웨이퍼를 형성하는 제1 투명 기판 첩착 공정과, 상기 제1 투명 기판 첩착 공정을 실시한 후, 상기 제1 투명 기판의 이면에 제2 투명 기판의 표면을 첩착시켜 제2 일체화 웨이퍼를 형성하는 제2 투명 기판 첩착 공정과, 상기 웨이퍼를 상기 분할 예정 라인을 따라 상기 제1 및 제2 투명 기판과 함께 절단하여 상기 제2 일체화 웨이퍼를 개개의 발광 다이오드 칩으로 분할하는 분할 공정을 포함한 것을 특징으로 한다.