초록
전자 장치 및 그 제조 방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치는, 반도체 메모리를 포함하는 전자 장치로서, 상기 반도체 메모리는, 제1 방향으로 연장하는 제1 배선; 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장하는 제2 배선; 상기 제1 배선과 상기 제2 배선의 사이에서 상기 제1 배선과 상기 제2 배선의 교차 영역에 배치되는 실리콘 첨가 금속 산화물층; 상기 제1 배선과 상기 제2 배선의 사이에서 상기 제1 배선과 중첩하면서 상기 제1 방향을 따라 상기 실리콘 첨가 금속 산화물층과 번갈아 배열되는 금속 산화물층; 및 상기 제1 배선과 상기 제2 배선의 사이에서 상기 제2 배선과 중첩하면서 상기 제2 방향을 따라 상기 실리콘 첨가 금속 산화물층과 번갈아 배열되는 실리콘 산화물층을 포함할 수 있다.