초록
본 발명에 따른 반도체형 가스 센서는 적외선 발광부, 적외선 발광부의 온도를 측정하기 위한 적외선 온도 측정부 및 적외선 발광부로부터 방출된 적외선을 수광하기 위한 적어도 하나 이상의 적외선 수광부를 포함하되, 적외선 온도 측정부 및 적외선 수광부의 감지 물질은 산화 바나듐으로 서로 동일하며, 상기 적외선 수광부의 감지 물질 상부에 적외선 흡수층이 형성되는 것을 특징으로 한다. 또한, 반도체형 가스 센서의 제조공정은 저 스트레스 실리콘 질화막 또는 ONO막이 형성된 기판상에 적외선 발광부를 형성하는 단계, 상기 적외선 발광부가 형성된 기판상에 적외선 온도 측정부 및 적외선 수광부의 감지 물질인 산화 바나듐을 증착한 후, 패터닝하는 단계, 기판의 전면에 보호층을 형성하는 단계, 보호층을 식각하여 적외선 발광부, 적외선 온도 측정부 및 적외선 수광부에 각각 콘택홀을 형성하는 단계, 기판의 전면에 전극 물질을 증착한 후 패터닝하여 전극 배선 및 전극 패드를 형성하는 단계, 적외선 수광부에 절연층 및 적외선 흡수층을 형성하는 단계, 적외선 발광부, 적외선 온도 측정부 및 적외선 수광부가 형성된 영역의 기판 후면을 식각하여 적어도 하나 이상의 멤브레인막을 형성하는 단계를 포함한다. 가스 센서, 산화 바나듐, 적외선 발광부, 적외선 수광부