내용 참조 메모리 및 반도체 장치
대한민국
서치 액세스의 고속화가 가능한 내용 참조 메모리를 제공하는 것에 있다. 내용 참조 메모리는, 복수의 메모리 셀과, 상기 복수의 메모리 셀에 결합된 매치선과, 상기 복수의 메모리 셀의 각각에 결합된 서치선과, 상기 매치선에 결합된 매치선 출력 회로와, 상기 매치선에 결합되며, 상기 매치선의 전위를 변경시키는 전위 변경 회로를 포함한다.
G11C
1020180059376
2018-05-25
1020180131416
2018-12-10
르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤
10.8080/1020180059376
https://doi.or.kr/10.8080/1020180059376
https://plus.kipris.or.kr/kiprisplusws/fileToss.jsp?arg=d8ed8dd5b70e0b90dcfe8daca075789a05ea41092dfed57b70ce844efcb87d6898b61ac3faef9323583d31a985569c0a852ae4c9f410add700978229397c308f6b0a6faf0219398e
https://plus.kipris.or.kr/kiprisplusws/fileToss.jsp?arg=2ba38663aa11ff0f6ca91af6061a2e00ff3cb44f09009db493dd509365ae32e9c9562deb29fd2fea26763f88fd512366ce68941b337190a84077a35af5cd8a4ba1c389c40c4e6168
총 0건의 논문이 있습니다.
총 0건의 특허가 있습니다.
총 0건의 무역이 있습니다.
총 4건의 후보군 물질이 있습니다.
특허; 2023-12-11