초록
베이스가 변형되어도 갈라짐이나 박리를 일으키지 않는 화합물막을 실온에서 성장시키는 것. 원료 가스를 순간 가열하고, 순간 가열하여 발생시킨 2종 이상의 생성 가스 분자종을 각각 따로따로 도입하고, 원료 가스의 순간 가열 기구의 가열 온도보다 낮은 온도의 베이스에 접촉시켜 제1 화합물막을 형성시킴과 아울러, 제1 화합물막이 포함하는 원소를 적어도 하나 포함하는 제2 화합물막을 형성하여, 적어도 제1 화합물막과 제2 화합물막으로 이루어지는 적층막을 생성한다.