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낸드 플래시 메모리, 가변 저항 메모리 및 컨트롤러를 포함하는 메모리 시스템의 동작 방법

메타 데이터

바이오화학분류
    • 바이오정밀화학
      1. 연료
특허명

낸드 플래시 메모리, 가변 저항 메모리 및 컨트롤러를 포함하는 메모리 시스템의 동작 방법

국가

대한민국

초록

본 발명은 낸드 플래시 메모리, 가변 저항 메모리, 그리고 상기 낸드 플래시 메모리 및 가변 저항 메모리를 제어하도록 구성되는 컨트롤러를 포함하는 메모리 시스템의 동작 방법에 관한 것이다. 본 발명의 동작 방법은, 페이지 데이터를 수신하는 단계, 수신된 페이지 데이터를 가변 저항 메모리에 저장하는 단, 가변 저항 메모리에 축적된 페이지 데이터의 수가 문턱 값에 도달하면, 축적된 페이지 데이터를 낸드 플래시 메모리로 전송하는 단계, 그리고 낸드 플래시 메모리가 축적된 페이지 데이터에 기반하여 프로그램을 수행하는 단계로 구성된다.

IPC코드

G11C

출원번호

1020120040505

출원일자

2012-04-18

공개번호

1020130117560

공개일자

2013-10-28

등록번호

1019382100000

등록일자

2019-01-08

출원인

삼성전자주식회사

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1 2023-12-11

특허; 2023-12-11

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