반도체 소자 및 그 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자는, 다중 깊이 트렌치가 형성되는 반도체 기판으로서, 상기 다중 깊이 트렌치는 하나의 쉘로우 트렌치와 상기 쉘로우 트렌치의 하측에 배치되는 적어도 하나의 딥 트렌치를 포함하는 반도체 기판; 및 상기 다중 깊이 트렌치를 충진하는 유전체;를 포함하며, 상기 유전체는, 상기 쉘로우 트렌치를 부분적으로 충진하는 제1 유전체; 및 상기 제1 유전체가 충진된 후 상기 다중 깊이 트렌치의 나머지 영역을 충진하는 제2 유전체;를 포함하며, 상기 제1 유전체는, 상기 쉘로우 트렌치의 바닥면과 상기 딥 트렌치의 측벽이 만나는 모서리 영역으로부터 상측으로 연장되며 상기 쉘로우 트렌치의 바닥면에 대해 경사진 경사면을 갖는다.