본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조 방법은 기판이 도입된 공정 챔버 내부에 제1 반응물을 공급하는 단계, 제1 퍼지 기체의 유량을 조절하고, 유량이 조절된 상기 제1 퍼지 기체를 제1 저장부에 정해진 시간 동안 저장하는 단계, 상기 제1 반응물을 공급하는 단계 이후에, 상기 공정 챔버 내부로, 상기 제1 저장부에 저장되어 있던 상기 제1 퍼지 기체를 공급하는 단계, 및 상기 제1 퍼지 기체를 공급하는 단계 이후에, 상기 기판이 도입된 상기 공정 챔버 내부에 제2 반응물을 공급하는 단계를 포함할 수 있다.