본 발명은 펀치-쓰루(Punch-Through) 현상을 개선하고, 바디의 부피를 증가시킬 수 있는 반도체 소자 및 그의 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명에 따른 반도체 소자는, 실리콘 기판과 절연층 및 실리콘층의 적층 구조를 포함하며, 상기 실리콘층에서의 게이트 형성 영역 양측 가장자리 부분이 리세스되어 상단부보다 하단부의 폭이 더 넓은 핀 패턴이 형성된 SOI 기판; 상기 핀 패턴을 감싸도록 형성된 게이트; 및 상기 게이트 양측의 실리콘층 내에 형성된 접합 영역;을 포함한다.