초록
본 발명은 MOS 트랜지스터의 절연막 형성 전후에 원자간력 현미경으로 기판의 거칠기와 절연막의 거칠기 상태를 평가하여 후속 공정이 가능한 기판 거칠기의 임계값을 결정하고 이를 토대로 고유전율 절연막을 형성하는 방법에 관한 것으로, 본 발명의 임계값 결정방법은 최소한의 절연막 형성을 통해 후속 공정 진행여부를 결정하는 기준을 세울 수 있는 경제적인 방법이다. 또한, 각 공정별로 임계값을 결정한 뒤에는 실리콘 박막의 거칠기만 측정하여 박막형성 공정을 진행할 수 있을지 여부를 판단하는 기준으로 삼을 수 있어 효율적이다.