높은 전계 효과 이동도를 가지는 BaSnO3 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법
대한민국
본 발명은 큐빅 구조로 보았을 때 격자상수가 대략 3.8-4.2 Å 정도인 단결정 기판 상에 산소 결핍 또는 불순물이 주입된 켜쌓기 또는 동종 켜쌓기 주석산바륨 반도체 산화물 박막을 증착시킨, 전기적 특성이 우수하면서 열적으로 안정한 투명 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것이다.
H01L
1020150041803
2015-03-25
1020160115076
2016-10-06
서울대학교산학협력단
10.8080/1020150041803
https://doi.or.kr/10.8080/1020150041803
https://plus.kipris.or.kr/kiprisplusws/fileToss.jsp?arg=d8ed8dd5b70e0b90dcfe8daca075789a077e18fdc507a4935f9e6b6c6bcbafff58cfe39e961e1a9d4bed028bae78c65f06dd3dd9572c79e81d418326f17d87fa0029b27c0c069b2d
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특허; 2023-12-11