불휘발성 메모리 장치 및 그것의 프로그램 검증 방법
대한민국
본 발명의 실시 예에 따른 복수의 메모리 셀들을 프로그램하는 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 검증 방법은 복수의 검증 전압들을 인가하는 단계; 및 상기 복수의 검증 전압들 중 하나의 검증 전압을 기반으로 상기 복수의 메모리 셀들 중 서로 다른 목표 문턱 전압 산포 범위들을 각각 갖는 메모리 셀들의 프로그램 완료 여부를 판별하는 단계를 포함한다.
G11C
1020140110864
2014-08-25
1020160025076
2016-03-08
1022354920000
2021-03-29
삼성전자주식회사
10.8080/1020140110864
https://doi.or.kr/10.8080/1020140110864
https://plus.kipris.or.kr/kiprisplusws/fileToss.jsp?arg=d8ed8dd5b70e0b90dcfe8daca075789a077e18fdc507a4939c618484fdedeed293360920d5a5bb66f5aac5c6f9d939a1195aacdbdc367693a211d4285f60f64f835b495930a0f9fc
https://plus.kipris.or.kr/kiprisplusws/fileToss.jsp?arg=6c650beb4cee9ce4122b704b88878c93ef4ad01377cdfbca0968702c4ff0b21e2761be1393d316bc54d83e7fdc4bb4941cbb470d0a8782253bb43dc8fbfb50e4bde7d339b2db41e0
총 0건의 논문이 있습니다.
총 0건의 특허가 있습니다.
총 0건의 무역이 있습니다.
총 1건의 후보군 물질이 있습니다.
특허; 2023-12-11