BioChem - DOS

비휘발성 메모리 소자 및 그 동작 방법

대한민국

비휘발성 메모리 소자 및 그 동작 방법이 제공된다. 적어도 하나의 게이트 전극은 적어도 하나의 반도체 기둥의 제 1 측벽 상에 제공된다. 적어도 하나의 제어 게이트 전극은 상기 적어도 하나의 반도체 기둥의 제 2 측벽 상에 배치된다. 적어도 하나의 전하 저장층은 상기 적어도 하나의 반도체 기둥의 제 2 측벽 및 상기 적어도 하나의 제어 게이트 전극 사이에 제공된다.

G11C; H10B

1020080091257

2008-09-17

1020100032211

2010-03-25

삼성전자주식회사

10.8080/1020080091257

https://doi.or.kr/10.8080/1020080091257

https://plus.kipris.or.kr/kiprisplusws/fileToss.jsp?arg=fc755b99649ebbb6ea812ef40ed6ce96c1c560671c4bdfa73cc570424b011c75d918ebdf6ccc13a76252128d04fe1c4d6702b1aa1001c7cfade937830629d928bace25381f7327ad

https://plus.kipris.or.kr/kiprisplusws/fileToss.jsp?arg=452306798ef1fd03bf8e5ba4e1dbf72675fba6c8f7a68d2b33cf4f118e6a9c39f20ca69202b562fbd0755d22dae405c4381b45e730ff8b563f797d6a9f5859cb26dc2995c4dadf58