초록
본 발명은 구리와 니켈과 그래핀으로 이루어지는 반도체용 열전도성 전자파 차폐도료 제조방법 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반도체용 열전도성 전자파 차폐도료 제조방법은 구리파우더 표면의 산화막을 제거하는 산화막 제거단계; 상기 산화막 제거단계를 거친 구리파우더 표면에 니켈을 코팅하여 산화방지막을 형성하는 니켈 코팅단계; 상기 니켈 코팅단계를 거친 구리파우더(1)에 그래핀을 합성하는 그래핀 합성단계;를 포함하는 것으로, 본 발명에 의해 제조된 코팅도료를 반도체의 방열체에 코팅하면, 반도체 소자에서 발생하는 열을 효과적으로 방출할 뿐만 아니라 전자 방해 잡음(EMI)을 감소시키고, 전자파를 차폐하여 전자기기의 수명을 늘릴 수 있다는 등의 현저한 효과가 있다.