초록
본 발명은 플라즈마 처리장치의 실리콘 카바이드 구조물 및 그 제조방법에 관한 것으로, a) 그라파이트 원판의 표면에 SiC를 증착하여 SiC 베이스 구조물을 형성하는 단계와, b) 상기 그라파이트 원판을 제거하여 SiC 베이스 구조물을 분리하는 단계와, c) 상기 SiC 베이스 구조물의 전면에 SiC를 코팅하여 실리콘 카바이드 구조물을 획득하는 단계를 포함한다. 본 발명은 그라파이트판에 SiC를 화학기상 증착법으로 1차 증착하고, 그라파이트판과 SiC층을 분리하여, SiC 베이스 구조물을 제조한 후, SiC 베이스 구조물의 전면을 다시 SiC로 증착하여 양면이 동일 또는 유사한 결정 크기를 갖도록 함으로써, 플라즈마에 노출되는 면에 무관하게 수명이 단축됨을 방지할 수 있는 효과가 있다.