BioChem - DOS

이종 기판, 그를 이용한 질화물계 반도체 소자 및 그의 제조 방법

대한민국

본 발명은 이종 기판, 그를 이용한 질화물계 반도체 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 이러한 본 발명은 베이스 기판과 격자 상수가 다른 질화물을 이용하여 질화물층을 형성함에 있어, 그 격자 상수의 차이로 인한 스트레인이 발생하는 것을 감소시키기 위한 이종 기판 및 그 제조 방법을 제공하며, 이러한 이종 기판을 이용하여 제작된 반도체 소자인 발광 다이오드 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명은 질화물층의 성장 모드를 조절하여 질화물층에 기공을 형성함으로써 그 기공에 의해 스트레인을 감소시킨다.

H01L

1020100016430

2010-02-23

1020110096899

2011-08-31

1011220330000

2012-02-23

한국전자기술연구원

10.8080/1020100016430

https://doi.or.kr/10.8080/1020100016430

https://plus.kipris.or.kr/kiprisplusws/fileToss.jsp?arg=fc755b99649ebbb6ea812ef40ed6ce96fa843d302694882ce405126138ab82f22c5a14aed30f7589e2f4ca3148c7679379878622fd051c29bdb15530dd37e1a64c987f33fd8b13b0

https://plus.kipris.or.kr/kiprisplusws/fileToss.jsp?arg=fa3ecff0fa8c8029e6745331d5639d6ffa7805178d483a25cf65e0099a38ec22e2de43817966e9792fea7c6b650a97277b4072eaf60408def0da7ae5e63e93421c75ad15ab21f750d80d7f4dc74b5f97acbf86b8322e9f55