초록
본원 발명은, 전하 전송용 MOS 트랜지스터의 기생 다이오드의 리크 패스를 차단하여, 소비 전력의 증가를 방지함과 함께, 회로가 제어 불능에 빠지는 것을 방지한다. 제1 전하 전송용 MOS 트랜지스터 M1 및 제2 전하 전송 MOS 트랜지스터 M2는 N 채널형이며, 상호 직렬로 접속되어 있다. 제1 전하 전송용 MOS 트랜지스터 M1의 소스에는 접지 전위 VSS가 공급되고, 제2 전하 전송용 MOS 트랜지스터 M2의 드레인인 출력 단자 Pout로부터 출력 전위가 얻어진다. 제1 전하 전송용 MOS 트랜지스터 M1의 백 게이트 G1은, 제1 스위칭 회로 SW1에 의해, 제1 및 제2 전하 전송용 MOS 트랜지스터 M1, M2의 접속점의 전위 X와 입력 전위인 접지 전위 VSS 중 어느 한쪽의 전위로 설정되도록 구성되어 있다. 전하 전송용 MOS 트랜지스터, 백 게이트, 스위칭 회로, 출력 전위, 접지 전위