단결정 실리콘 웨이퍼 및 반도체 웨이퍼
대한민국
실시예의 웨이퍼는 결함 평가의 대상이 되는 웨이퍼로서, 상기 웨이퍼 상에는 산화막이 형성되어 있고, 상기 웨이퍼에 LDP(Loop Dominant Point defect zone) 영역이 포함되고, 표면 광전압으로 측정되는 소수 캐리어의 확산 거리가 450㎛ 이상인 경우, Pi 영역은 440㎛ 이상, LDP는 290~440㎛이다.
H01L
1020120099116
2012-09-07
1013396240000
2013-12-03
에스케이실트론 주식회사
10.8080/1020120099116
https://doi.or.kr/10.8080/1020120099116
https://plus.kipris.or.kr/kiprisplusws/fileToss.jsp?arg=2ba38663aa11ff0f6ca91af6061a2e00575e63c47d2690cd1c58aa5b845445539918976613797e9466aa1cf0a46a61889c9b17d1a596ad277f6983567a8886cb36555ef821ab22a9
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특허; 2023-12-11