전력 반도체 소자 및 그 제조 방법

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전력 반도체 소자 및 그 제조 방법

메타 데이터

바이오화학분류

- 바이오플라스틱
  1. 기타
- 바이오정밀화학
  1. 기타
- 화장품용 기능성소재
  1. 기타
- 의료용 화학소재
  1. 식품첨가제

특허명

전력 반도체 소자 및 그 제조 방법

국가

대한민국

초록

본 발명의 일 관점에 의한 전력 반도체 소자는 실리콘 카바이드(SiC)의 반도체층과, 상기 반도체층의 일부 상의 게이트 절연층과, 상기 게이트 절연층 상의 게이트 전극층과, 전하의 수직 이동 경로를 제공하도록 상기 반도체층에 형성되고, 상기 게이트 전극층 하부에 배치된 적어도 하나의 돌출 부분을 포함하고, 제 1 도전형을 갖는 드리프트 영역과, 상기 게이트 전극층 하부의 상기 반도체층에 상기 드리프트 영역의 상기 적어도 하나의 돌출 부분과 접하게 형성되는 제 1 웰 영역 및 상기 게이트 전극층 외측의 상기 반도체층에 형성되고 상기 제 1 웰 영역과 연결된 제 2 웰 영역을 포함하고, 제 2 도전형을 갖는 웰 영역과, 상기 제 1 웰 영역 상의 상기 반도체층에 형성된 제 1 소오스 영역 및 상기 제 2 웰 영역 상의 상기 반도체층에 형성되고 상기 제 1 소오스 영역과 연결된 제 2 소오스 영역을 포함하고, 제 1 도전형을 갖는 소오스 영역과, 상기 드리프트 영역의 상기 적어도 하나의 돌출 부분 및 상기 제 1 소오스 영역 사이의 상기 반도체층에 형성되는 채널 영역과, 상기 제 2 소오스 영역과 연결되고, 상기 드리프트 영역의 일 부분과 접촉하여 쇼트키 배리어 다이오드(schottky barrier diode)를 형성하는 소오스 전극층을 포함한다.

IPC코드

H01L

출원번호

1020200080163

출원일자

2020-06-30

공개번호

1020220001791

공개일자

2022-01-06

등록번호

1023690510000