BioChem - DOS

반도체 소자 및 그 제조방법

대한민국

본 발명의 기술적 사상은, 나노 시트를 구비하여 전류를 효과적으로 제어하고 다중 문턱 전압(Multi-Vt)을 구현할 수 있는 반도체 소자 및 그 제조방법을 제공한다. 그 반도체 소자는 나노 시트를 포함한 나노 시트 구조체로 트랜지스터가 형성되고, 상기 나노 시트의 두께 조절을 통해 채널 폭이 조절됨으로써, 트랜지스터의 채널 전류가 효과적으로 제어되도록 할 수 있다.

H01L

1020160025043

2016-03-02

1020170102660

2017-09-12

1024266630000

2022-07-25

삼성전자주식회사

10.8080/1020160025043

https://doi.or.kr/10.8080/1020160025043

https://plus.kipris.or.kr/kiprisplusws/fileToss.jsp?arg=d8ed8dd5b70e0b90dcfe8daca075789a97d47801dc9cca461574a6675e2c8d9e5a2a9f5c2abf84b58b6c9b08766b1d892c583a5a6926cad1a31e588229c5310aee66ce43e43debf5

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