초록
본 출원은 유기전계효과 트랜지스터 메모리 장치에 관한 것으로서, 본 출원의 유기전계효과 트랜지스터 메모리 장치는, 주쇄 및 상기 주쇄에 결합되며, 포토크로믹 화합물을 포함하는 측쇄를 포함하는 중합체를 포함하는 전하 저장층을 포함함으로써, 빛의 조사에 따른 상기 포토크로믹 화합물의 분자 구조의 전환에 의하여, 전하 트래핑 물성이 강화되고, 이에 따라 프로그래밍 및 지우기(erasing) 공정 후에 쌍안정한 전하 상태를 형성할 수 있는 비 휘발성 메모리 소자를 제공할 수 있다.