초록
은(Ag) 나노와이어와 같이 높은 광투과성 및 낮은 전기저항성을 갖는 나노와이어를 이용하한 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 질화물 반도체 발광소자는 n형 질화물 반도체층, 활성층 및 p형 질화물 반도체층을 포함하는 발광구조체; 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성되는 투명 산화물 전극층; 상기 투명 산화물 전극층과 전기적으로 연결되며, 나노와이어를 포함하여 형성되는 투명 나노와이어층; 및 상기 투명 산화물 전극층 또는 상기 투명 나노와이어층과 전기적으로 연결되는 p측 전극 패드;를 포함하는 것을 특징으로 한다.